[实用新型]一种倒装LED芯片的焊接保护结构及倒装LED芯片有效
| 申请号： | 201320550918.4 | 申请日： | 2013-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN203521451U | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 唐小玲;夏红艺;罗路遥 | 申请（专利权）人： | 深圳市智讯达光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02 |
| 代理公司： | 深圳市凯达知识产权事务所 44256 | 代理人： | 刘大弯 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种倒装LED芯片的焊接保护结构及含有该结构的倒装LED芯片。一种倒装LED芯片的焊接保护结构，芯片包括有N型半导体层和P型半导体层，在芯片具有N型半导体层和P型半导体层的第一侧壁设有绝缘保护层，绝缘保护层从P型半导体层的底面覆盖至N型半导体层顶部并与衬底接触。在不同时有P型半导体层和N型半导体层的第二侧壁设有绝缘保护层，保护层从P型半导体层或N型半导体层的底面覆盖至N型半导体层顶部并与衬底接触。芯片倒装焊接时，即使焊料外溢上爬，也由于有绝缘保护层在芯片的侧壁进行绝缘保护，该侧的P型半导体层和N型半导体层就不会短路或漏电了。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 倒装 led 芯片 焊接 保护 结构 | ||
【主权项】：
一种倒装LED芯片的焊接保护结构，芯片包括有N型半导体层和P型半导体层，其特征在于：在芯片具有N型半导体层和P型半导体层的第一侧壁设有绝缘保护层，绝缘保护层从P型半导体层的底面覆盖至N型半导体层顶部并与衬底接触。
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