[实用新型]硅平面晶体管阵列有效
| 申请号： | 201320507309.0 | 申请日： | 2013-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN203386753U | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 吴炳刚 | 申请（专利权）人： | 沈阳飞达电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 110032 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本实用新型专利公开了一种硅平面晶体管阵列包括基板和晶体管阵列，将晶体管阵列塑封在金属陶瓷腔体内通过粘结层将晶体管阵列粘接在基板上。该硅平面晶体管阵列，结构简单，晶体管阵列塑封在金属陶瓷腔体内确保其电气特性不受影响，还设有涂层可以清楚显示晶体管阵列工作参数，方便正确使用。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 晶体管 阵列 | ||
【主权项】：
一种硅平面晶体管阵列，其特征在于，包括基板和晶体管阵列，将晶体管阵列塑封在金属陶瓷腔体内通过粘结层将晶体管阵列粘接在基板上。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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