[实用新型]硅平面晶体管阵列有效
申请号: | 201320507309.0 | 申请日: | 2013-08-20 |
公开(公告)号: | CN203386753U | 公开(公告)日: | 2014-01-08 |
发明(设计)人: | 吴炳刚 | 申请(专利权)人: | 沈阳飞达电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/088 | 分类号: | H01L27/088 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 110032 辽宁*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 平面 晶体管 阵列 | ||
技术领域
本实用新型属于一种晶体管。
背景技术
目前,现有的薄膜晶体管液晶显示器制作过程中,晶体管阵列基板在制造完成之后会进行检测,特别是对晶体管阵列基板的像素阵列进行检测,以确认晶体管阵列基板是否能正常运作。
实用新型内容
本实用新型的目的本实用新型的目的是克服现有技术领域存在的不足,提供一种硅平面晶体管阵列。
为达到这一目的,所采取的技术方案如下:
一种硅平面晶体管阵列包括
基板1和晶体管阵列2,将晶体管阵列2塑封在金属陶瓷腔体3内通过粘结层4将晶体管阵列粘接在基板1上。
进一步基板为硅平面基板。
进一步,硅平面晶体管阵列还包括导电层5,导电层位于粘接层的上面。
进一步,硅平面晶体管阵列还包括涂层。
进一步,晶体管阵列为4-5个晶体管组成。
本实用新型的硅平面晶体管阵列,结构简单,晶体管阵列塑封在金属陶瓷腔体内确保其电气特性不受影响,还设有涂层可以清楚显示晶体管阵列工作参数,方便正确使用。
附图说明
下面结合附图对本实用新型作进一步详细说明:
图1为本实用新型的硅平面晶体管阵列的结构示意图;
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型所提供的存放传送装置和分析装置进行示例性的说明。
如图1所示,本实用新型的一种硅平面晶体管阵列包括,
基板和晶体管阵列,将晶体管阵列塑封在金属陶瓷腔体内通过粘结层将晶体管阵列粘接在基板上。
优选的技术方案,基板为硅平面基板。
优选的技术方案,硅平面晶体管阵列还包括导电层,导电层位于粘接层的上面。
优选的技术方案,硅平面晶体管阵列还包括涂层,所述涂层的原料为紫外光固化油墨,可经过酒精、异丙醇及类似溶剂清洗,涂层也不会剥落。。
优选的技术方案,晶体管阵列为4-5个晶体管组成。
综上所述,以上仅为本实用新型的较佳实施例而已,并非用于限定本实用新型的保护范围,因此,凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的