[实用新型]薄膜成型设备有效
| 申请号： | 201320403533.5 | 申请日： | 2013-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN203521380U | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 邱建清;陈赞仁 | 申请（专利权）人： | 东捷科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 广东国欣律师事务所 44221 | 代理人： | 李文 |
| 地址： | 中国台湾台南*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型揭露一种薄膜成型设备，其包括一脱模机构及一承载机构。该脱模机构包括一压印平台及一脱模环。该压印平台具有多个气体通道，用以注入气体。该脱模环设于该压印平台上，且正对该气体通道。其中，该承载机构用以吸住一基板的顶面。其中，该基板的底面抵靠该脱模机构。在该数个气体通道被注入气体时，该脱模环、该基板及该承载机构相对该压印平台被顶起。如此，即可藉由该脱模环来达到使该基板与该压印平台分离的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 成型 设备 | ||
【主权项】：
一种薄膜成型设备，其特征在于，包括： 一脱模机构，包括一压印平台及一脱模环；该压印平台具有多个气体通道，用以注入气体；该脱模环设于该压印平台上，且正对该多个气体通道；及 一承载机构，用以吸住一基板的顶面；其中，该基板的底面抵靠该脱模机构，在该多个气体通道被注入气体时，该脱模环、该基板及该承载机构相对该压印平台被顶起。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
