[实用新型]薄膜成型设备有效
申请号: | 201320403533.5 | 申请日: | 2013-07-08 |
公开(公告)号: | CN203521380U | 公开(公告)日: | 2014-04-02 |
发明(设计)人: | 邱建清;陈赞仁 | 申请(专利权)人: | 东捷科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 广东国欣律师事务所 44221 | 代理人: | 李文 |
地址: | 中国台湾台南*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 成型 设备 | ||
技术领域
本实用新型是与半导体制程设备有关,特别是指一种薄膜成型设备。
背景技术
中国台湾第M380228号新型专利揭露一种薄膜成型装置,其揭露一模框及一脱模完成装置,该模框用以承载一基板,该模框的底部具有多个孔洞,该脱膜完成装置用以对该模框的孔洞注入空气,以使该基板脱离该模框。
由于该脱膜完成装置注入的空气直接对该基板产生向上的力量,才使基板脱离该模框,所以,若注入的空气压力不均时,将使得该基板上的薄膜产生变形,甚至损坏。
发明内容
本实用新型揭露一种薄膜成型设备,其包括一脱模机构及一承载机构。该脱模机构包括一压印平台及一脱模环。该压印平台具有多个气体通道,用以注入气体。该脱模环设于该压印平台上,且正对该气体通道。其中,该承载机构用以吸住一基板的顶面。其中,该基板的底面抵靠该脱模机构。在该数个气体通道被注入气体时,该脱模环、该基板及该承载机构相对该压印平台被顶起。如此,即可藉由该脱模环来达到使该基板与该压印平台分离的目的。
较佳地,该压印平台还具有一环槽及一挡片。该环槽接收该脱模环。其中,该脱模环的底部的内、外两侧面分别抵靠该环槽的两相对侧壁。该数个气体通道位于该环槽的底部,且连通该环槽。该挡片用以止挡该脱模环脱离该环槽。如此,该脱模环就不会脱离该脱模机构。
较佳地,该脱模环具有两弹性环。该两弹性环分别连接该脱模环的底部,且位于该脱模环的内、外两侧面,并抵紧该环槽的两相对侧壁,以避免该环槽内的气体外漏。
附图说明
图1绘示应用本实用新型的一较佳实施例的薄膜成型设备的立体图。
图2绘示图1中薄膜成型设备的爆炸图。
图3绘示图1中脱模机构的立体图。
图4绘示图3中脱模机构的爆炸示意图。
图5及图6分别绘示图3中脱模机构的A-A剖视示意图。
图7绘示图5中脱模机构的局部放大示意图。
图8绘示图6中脱模机构的局部放大示意图。
图9绘示图1的承载机构及晶圆的爆炸图。
图10绘示图1中的薄膜成型设备的示意图。
图11及图12绘示图1的B-B剖视示意图。
具体实施方式
如图1及2所示,薄膜成型设备10包括一脱模机构20及一承载机构(holder)30,该承载机构30用以吸住一晶圆(wafer)40,该脱模机构20用以压于该承载机构30上。
如图3及图4所示,该脱模机构20包括一压印平台(stage)22及一脱模环24。该压印平台22还具有一环槽222及一挡片224。该环槽222接收该脱模环24。该挡片224止挡该脱模环24脱离该环槽222。此外,该压印平台22还有由该环槽222界定出的一工作区221,该工作区221可以是一平面或特定图案构成的凹槽。
如图5所示,该压印平台22具有多个气体通道226,用以注入正压气体,每一气体通道226位于该环槽222的底部,且连通该环槽222。其中,正压气体由一供气装置(未绘示于图中)提供,在图5中,该供气装置系没有对该数个气体通道226注入正压气体,所以,该脱模环24的底部抵靠在该环槽的底部。需要注意的是,该脱模环24的底部的内、外两侧面分别抵靠该环槽222的两相对侧壁,以避免正压气体外漏。
特别地,请同时参照图4及图5,该脱模环24还有两弹性环246,该两弹性环246分别连接该脱模环24的底部,且位于该脱模环24的内、外两侧面,并抵紧该环槽222的两相对侧壁,该两弹性环246较佳地选用橡胶或具有弹性的塑胶制成。如此,就可利用该两弹性环246使该环槽222内的正压气体更均匀。然而,若该脱模环24的底部与该环槽222已经可以达到避免正压气体外漏的目的时,该两弹性环246也可以被省略不用。
如图6所示,该供气装置对该数个气体通道226注入正压气体,以使该环槽222内充满正压气体,来顶起该脱模环24。需要注意的是,当该脱模环24被正压气体顶起时,该挡片224挡住该脱模环24。于此实施例中,该脱模环24从图6的状态回复至图5的状态是利用该供气装置也可以提供负压气体,以使该脱模环24被向下吸,而快速回复至图5的状态。但实际上,也可以直接停止提供正压气体,而使该脱模环24自然落下。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造