[实用新型]一种带静电保护的沟槽型绝缘栅场效应管

摘要

本实用新型公开了一种带静电保护的沟槽型绝缘栅场效应管，包括衬底和电阻，衬底的背面覆盖有注入层，衬底的表面覆盖有外延层，所述外延层上形成有多个阱区，相邻两个阱区阱区之间设有沟槽，沟槽内填充有多晶硅形成多晶硅栅，所述的多个第一导电类型接触区和第二导电类型接触区均与接地端相连接，各所述多晶硅栅通过电阻与接地端连接。本实用新型通过对绝缘栅型场效应管中加入外接电阻，从而其电路进行优化，有效降低了在静电保护时的触发电压，大大提升了器件泄放电流的能力，从而达到保护内部电路的目的。本实用新型可广泛应用于半导体领域中。

主权项

一种带静电保护的沟槽型绝缘栅场效应管，其特征在于：包括具有第一导电类型的衬底（1）和电阻（R），所述衬底（1）的背面覆盖有具有第二导电类型的注入层（2），所述衬底（1）的表面覆盖有具有第一导电类型的外延层（3），所述外延层（3）上形成有多个具有第二导电类型的阱区（4），各所述阱区（4）内设有两个第一导电类型接触区（41）和一个第二导电类型接触区（42），各所述阱区（4）内的第二导电类型接触区（42）设于两个第一导电类型接触区（41）之间，相邻两个阱区（4）之间设有沟槽（5），所述沟槽（5）内填充有多晶硅形成多晶硅栅（51），所述的第一导电类型接触区（41）和第二导电类型接触区（42）均与接地端相连接，各所述多晶硅栅（51）通过电阻（R）与接地端连接。