[实用新型]一种带静电保护的沟槽型绝缘栅场效应管

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体领域，尤其涉及一种带静电保护的沟槽型绝缘栅场效应管。

背景技术

对于静电保护器件，必须要求其触发电压应当小于内部被保护器件的损毁电压，损毁电压一般是栅氧击穿电压或者器件源漏的击穿电压。而现有的绝缘栅型场效应管在用于静电保护时，其触发电压不会低于外延层与阱区的击穿电压，因此造成其击穿电压较高，而且鉴于工艺本身的条件限制，很难作出调整。

实用新型内容

为了解决上述技术问题，本实用新型的目的是提供一种能泄放电流，保护内部电路的一种带静电保护的沟槽型绝缘栅场效应管。

本实用新型所采用的技术方案是：

一种带静电保护的沟槽型绝缘栅场效应管，包括具有第一导电类型的衬底和电阻，所述衬底的背面覆盖有具有第二导电类型的注入层，所述衬底的表面覆盖有具有第一导电类型的外延层，所述外延层上形成有多个具有第二导电类型的阱区，各所述阱区内设有两个第一导电类型接触区和一个第二导电类型接触区，各所述阱区内的第二导电类型接触区设于两个第一导电类型接触区之间，相邻两个阱区阱区之间设有沟槽，所述沟槽内填充有多晶硅形成多晶硅栅，所述的第一导电类型接触区和第二导电类型接触区均与接地端相连接，各所述多晶硅栅通过电阻与接地端连接。

进一步作为优选的实施方式，所述沟槽的侧壁和底部均覆有栅氧化层。

进一步作为优选的实施方式，所述沟槽的宽度为0.8微米至2微米。

进一步作为优选的实施方式，所述沟槽的深度为0.4微米至0.9微米。

进一步作为优选的实施方式，所述衬底采用碳化硅形成。

本实用新型的有益效果是：

本实用新型通过对绝缘栅型场效应管中加入外接电阻，从而对其电路进行了优化，有效降低了在静电保护时的触发电压，大大提升了器件泄放电流的能力，从而达到保护内部电路的目的。

附图说明

下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步说明：

图1是本实用新型一种带静电保护的沟槽型绝缘栅场效应管的结构示意图。

具体实施方式

参照图1，本实用新型一种带静电保护的沟槽型绝缘栅场效应管，包括具有第一导电类型的衬底1和电阻R，所述衬底1的背面覆盖有具有第二导电类型的注入层2，所述衬底1的表面覆盖有具有第一导电类型的外延层3，所述外延层3上形成有多个具有第二导电类型的阱区4，各所述阱区4内设有两个第一导电类型接触区41和一个第二导电类型接触区42，各所述阱区4内的第二导电类型接触区42设于两个第一导电类型接触区41之间，相邻两个阱区4之间设有沟槽5，所述沟槽5内填充有多晶硅形成多晶硅栅51，所述的第一导电类型接触区41和第二导电类型接触区42均与接地端相连接，各所述多晶硅栅51通过电阻R与接地端连接。

进一步作为优选的实施方式，所述沟槽5的侧壁和底部均覆有栅氧化层52。

进一步作为优选的实施方式，所述沟槽5的宽度为0.8微米至2微米。

进一步作为优选的实施方式，所述沟槽5的深度为0.4微米至0.9微米。

进一步作为优选的实施方式，所述衬底1采用碳化硅形成。

其中，第一导电类型接触区41作为场效应管的源极，注入层2作为场效应管的漏极，当有静电从静电端进入时，使得在多晶硅栅51上耦合形成电流，电流通过外接电阻R流向接地端时，多晶硅栅51上形成电压，导致用于放电的场效应管单元的沟道开启形成电流，从而触发绝缘栅型场效应管中寄生的三极管开启泄放电流，达到降低触发电压的目的。

以上是对本实用新型的较佳实施进行了具体说明，但本实用新型创造并不限于所述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本实用新型精神的前提下还可做作出种种的等同变形或替换，这些等同的变形或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。