[实用新型]一种带静电保护的沟槽型绝缘栅场效应管有效
| 申请号： | 201320402086.1 | 申请日： | 2013-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN203351606U | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 黎国伟 | 申请（专利权）人： | 广州成启半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 谭英强 |
| 地址： | 510630 广东省广州市高新技*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 静电 保护 沟槽 绝缘 场效应 | ||
1.一种带静电保护的沟槽型绝缘栅场效应管，其特征在于：包括具有第一导电类型的衬底（1）和电阻（R），所述衬底（1）的背面覆盖有具有第二导电类型的注入层（2），所述衬底（1）的表面覆盖有具有第一导电类型的外延层（3），所述外延层（3）上形成有多个具有第二导电类型的阱区（4），各所述阱区（4）内设有两个第一导电类型接触区（41）和一个第二导电类型接触区（42），各所述阱区（4）内的第二导电类型接触区（42）设于两个第一导电类型接触区（41）之间，相邻两个阱区（4）之间设有沟槽（5），所述沟槽（5）内填充有多晶硅形成多晶硅栅（51），所述的第一导电类型接触区（41）和第二导电类型接触区（42）均与接地端相连接，各所述多晶硅栅（51）通过电阻（R）与接地端连接。
2.根据权利要求1所述的一种带静电保护的沟槽型绝缘栅场效应管，其特征在于：所述沟槽（5）的侧壁和底部均覆有栅氧化层（52）。
3.根据权利要求1所述的一种带静电保护的沟槽型绝缘栅场效应管，其特征在于：所述沟槽（5）的宽度为0.8微米至2微米。
4.根据权利要求1所述的一种带静电保护的沟槽型绝缘栅场效应管，其特征在于：所述沟槽（5）的深度为0.4微米至0.9微米。
5.根据权利要求1所述的一种带静电保护的沟槽型绝缘栅场效应管，其特征在于：所述衬底（1）采用碳化硅形成。
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