[实用新型]非易失性存储器器件有效
| 申请号： | 201320391925.4 | 申请日： | 2013-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN203366749U | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | F·托里切利;L·科拉朗奥;A·里奇利;Z·科瓦克斯-瓦杰纳 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C5/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 意大利;IT |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种非易失性存储器器件，包括：本体(12)，至少容纳第一半导体阱(14)和第二半导体阱(15)；绝缘结构(27)；以及至少一个非易失性存储器单元(2，2’)。该单元(2，2’)包括：在第一阱(14)中的至少一个第一控制区域(16)；在第二阱(15)中的传导区域(18-20)；以及浮置栅极区域(23)，其在第一阱(14)和第二阱(15)的一部分之上延伸，电容性地耦合到第一控制区域(16)并且与传导区域(18-20)一起形成浮置栅极存储器晶体管(30)。绝缘结构(27)包括：第一绝缘区域(28)，其将浮置栅极区域(23)与第一控制区域(16)以及与传导区域(18-20)分开，并且具有第一厚度(D1)；以及第二绝缘区域(29)，其将浮置栅极区域(23)与第一控制区域(16)外部的第一阱(14)分开，并且具有大于第一厚度(D1)的第二厚度(D2)。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 器件 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器器件，其特征在于，包括： 本体(12)，容纳半导体材料的至少第一阱(14)和至少第二阱(15)； 绝缘结构(27)；以及 至少非易失性存储器单元(2，2’)； 其中所述存储器单元(2，2’)包括： 容纳在所述第一阱(14)中的至少第一控制区域(16)； 容纳在所述第二阱(15)中的传导区域(18‑20)；以及 浮置栅极区域(23)，其在所述第一阱(14)的一部分和所述第二阱(15)的一部分上延伸，电容性地耦合到所述第一控制区域(16)并且与所述传导区域(18‑20)一起形成浮置栅极存储器晶体管(30)； 并且其中所述绝缘结构(27)包括： 第一绝缘区域(28)，将所述浮置栅极区域(23)与所述第一控制区域(16)以及与所述传导区域(18‑20)分开，并且具有第一厚度(D1)；以及 第二绝缘区域(29)，将所述浮置栅极区域(23)与所述第一控制区域(16)外部的所述第一阱(14)分开，并且具有大于所述第一厚度(D1)的第二厚度(D2)。
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