[实用新型]一种升华法制备氮化铝晶体的生长装置有效
| 申请号： | 201320364361.5 | 申请日： | 2013-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN203295659U | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 武红磊;郑瑞生;徐百胜;闫征;郑伟;李萌萌 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | C30B23/06 | 分类号： | C30B23/06;C30B29/38 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型属于晶体制备领域，提供了一种升华法制备氮化铝晶体的生长装置，实现大尺寸、高质量氮化铝单晶体的生长工艺条件。本实用新型包括：(a)一种升华法制备氮化铝晶体的生长装置，由主加热器、顶加热器、侧屏蔽层、顶屏蔽层和底屏蔽层组成，其中，所有屏蔽层均为全金属热反射屏，每个屏蔽层相互独立，且内部尺寸均按阶梯状分布；(b)装置采用两套独立加热器，通过调整两者的功率可以方便、精确地控制生长区域的温度，满足氮化铝晶体生长所需的温度场条件；(c)加热器和屏蔽层采用独特的结构设计，满足：(i)加工工艺简单，制造成本较低，(ii)使用寿命长，维护成本低，(iii)满足生产的同时，不易引入杂质，不会污染环境。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 升华 法制 氮化 晶体 生长 装置 | ||
【主权项】：
一种升华法制备氮化铝晶体的生长装置，由主加热器(4)、顶加热器(3)、侧屏蔽层(5)、顶屏蔽层(2)和底屏蔽层(6)组成，其中，所有屏蔽层均为全金属热反射屏，每个屏蔽层相互独立，且内部尺寸均按阶梯状分布。
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