[实用新型]一种发光二极管外延片有效
| 申请号： | 201320358814.3 | 申请日： | 2013-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN203406315U | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 牛志宇 | 申请（专利权）人： | 东莞市德颖光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/14 |
| 代理公司： | 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 | 代理人： | 马腾飞 |
| 地址： | 523330 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管外延片，其结构包括Si衬底层、氮化镓基缓冲层、非掺杂氮化镓层、n型氮化镓基层、多量子阱层、p型铝镓氮层、p型氮化镓层和接触层，其特征在于：还包括生长在所述Si衬底层上的Al2O3保护层；所述接触层包括低In组分的低掺杂n型In0.05Ga0.95N层和高In组分的高掺杂n型In0.1Ga0.9N层。本实用新型的ED外延片，可以阻止SixNy层的形成，并引入新的结构防止ESD对器件的损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 | ||
【主权项】：
一种发光二极管外延片，其结构包括Si衬底层、氮化镓基缓冲层、非掺杂氮化镓层、n型氮化镓基层、多量子阱层、p型铝镓氮层、p型氮化镓层和接触层，其特征在于：还包括生长在所述Si衬底层上的Al2O3保护层；所述接触层包括低In组分的低掺杂n型In0.05Ga0.95N层和高In组分的高掺杂n型In0.1Ga0.9N层。
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