[实用新型]像素单元、阵列基板及显示装置有效
| 申请号： | 201320293786.1 | 申请日： | 2013-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN203311138U | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 陈海晶;王东方 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 柴亮;张天舒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种像素单元、阵列基板及显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的两层结构的存储电容的占用面积大，开口率低的问题。本实用新型的像素单元包括存储电容，所述存储电容包括第一电极和第二电极；所述第一电极包括电连接的多层结构，所述第二电极包括电连接的多层结构，两电极的各层结构交替设置在不同层，所有层结构至少部分重叠，且第一电极与第二电极的结构的层结构数相同；所述存储电容在远离基底的方向上的最顶层结构为像素单元的像素电极。本实用新型的像素单元的电容为多层结构的，减小了电容尺寸，进而提高了开口率。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 单元 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种像素单元，包括存储电容，其特征在于，所述存储电容包括第一电极和第二电极；所述第一电极包括相互电连接的多个层结构，所述第二电极包括相互电连接的多个层结构，两电极的各层结构交替设置在不同层，所有层结构至少部分重叠，且第一电极与第二电极的层结构数相同；所述存储电容在远离基底的方向上的最顶层结构为像素单元的像素电极。
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