[实用新型]像素单元、阵列基板及显示装置

权利要求书

1.一种像素单元，包括存储电容，其特征在于，所述存储电容包括第一电极和第二电极；

所述第一电极包括相互电连接的多个层结构，所述第二电极包括相互电连接的多个层结构，两电极的各层结构交替设置在不同层，所有层结构至少部分重叠，且第一电极与第二电极的层结构数相同；

所述存储电容在远离基底的方向上的最顶层结构为像素单元的像素电极。

2.根据权利要求1所述的像素单元，其特征在于，在远离基底的方向上，所述存储电容依次包括第一层结构、第二层结构、第三层结构、第四层结构；

所述存储电容的第四层结构即为像素单元的像素电极，且与存储电容的第二层结构电连接，构成存储电容的第一电极；

所述存储电容的第一层结构与第三层结构电连接，构成存储电容的第二电极。

3.根据权利要求2所述的像素单元，其特征在于，还包括顶栅结构的薄膜晶体管，

所述薄膜晶体管的有源区与存储电容的第一层结构设于同一层中，第一绝缘层覆盖薄膜晶体管的有源区与存储电容的第一层结构；

所述薄膜晶体管的栅极与存储电容的第二层结构设于第一绝缘层上，第二绝缘层覆盖薄膜晶体管的栅极与存储电容的第二层结构；

所述薄膜晶体管的源极、漏极以及存储电容的第三层结构设于第二绝缘层上，第三绝缘层覆盖薄膜晶体管的源极、漏极以及存储电容的第三层结构，其中，

所述存储电容的第一层结构与第三层结构间通过贯穿第一绝缘层和第二绝缘层中的过孔电连接；

所述像素电极设于第三绝缘层上，其中，

所述像素电极与存储电容的第二层结构间通过贯穿第二绝缘层和第三绝缘层中的过孔电连接。

4.根据权利要求3所述的像素单元，其特征在于，所述薄膜晶体管的有源区的材料为金属氧化物半导体。

5.根据权利要求4所述的像素单元，其特征在于，所述存储电容的第一层结构包括与薄膜晶体管有源区同步形成的金属氧化物半导体层，所述第一层结构的金属氧化物半导体层上设有金属层。

6.根据权利要求5所述的像素单元，其特征在于，所述金属层由钼、铜、铝、钨中的至少一种制成。

7.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1～6中任意一项所述的像素单元。

8.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求7所述的阵列基板。