[实用新型]多有源区高效率光电子器件有效
| 申请号： | 201320211167.3 | 申请日： | 2013-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN203351641U | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 沈光地;马莉 | 申请（专利权）人： | 沈光地;马莉 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 魏聿珠 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种多有源区高效率光电子器件，属于半导体光电子领域，其特征是在多有源区光电子器件中引入间接隧穿结构，通过间接隧穿结构将多个发光单元连接起来，增加了载流子的隧穿几率，成倍地提高了器件的量子效率。该器件结构可用于发光二极管、半导体激光器、多层结构带间探测器、超辐射发光二极管等。 | ||
| 搜索关键词： | 有源 高效率 光电子 器件 | ||
【主权项】：
多有源区高效率光电子器件，有从下往上依次纵向层叠的衬底（500），缓冲层（400），N+重掺接触层（300），发光区（200），P+重掺接触层（100），其特征在于：在发光区（200）中引入间接隧穿结构（220）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沈光地;马莉，未经沈光地;马莉许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201320211167.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：大肠埃希氏菌X2及其在降低粪便硫化氢生成中的应用
- 下一篇：保健被芯
