[实用新型]薄膜晶体管、阵列基板及显示装置有效
| 申请号： | 201320201256.X | 申请日： | 2013-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN203288600U | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 马禹 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置，该薄膜晶体管包括栅极，覆盖于栅极之上的栅绝缘层，覆盖于栅绝缘层之上的有源层，以及覆盖于有源层上的源极，漏极，其中，所述栅绝缘层上设有凹槽，所述有源层位于凹槽内部，所述凹槽侧壁上设有挡光层，所述有源层的上表面低于所述挡光层的上端面，该阵列基板包括衬底，该衬底上设有上述的薄膜晶体管，该显示装置采用上述的阵列基板。由于本实用新型的薄膜晶体管具有凹槽，且凹槽侧壁上具有挡光层，能有效的挡住背光源经过反射从侧面方向传来的光照到有源层区域，从而可以有效降低了薄膜晶体管漏电流（Ioff）过高的问题，从而改善了残像并增强了显示画面品质。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括栅极，覆盖于栅极之上的栅绝缘层，覆盖于栅绝缘层之上的有源层以及覆盖于有源层之上的源极和漏极，其特征在于，所述栅绝缘层上设有凹槽，所述有源层位于凹槽内部，所述凹槽侧壁上设有挡光层，所述有源层的上表面低于所述挡光层的上端面。
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