[实用新型]薄膜晶体管、阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及液晶显示领域，尤其涉及一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置。

背景技术

随着科学技术的发展，液晶显示技术越来越成熟。液晶显示技术因其具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位，广泛应用于电视、电脑显示器、手机和电子相框等显示装置。

在液晶显示装置中，普遍需要薄膜晶体管（TFT）作为像素单元充放电的开关，其漏电流（Ioff）大小是影响液晶屏性能的重要参数之一。现有技术中，如图1和图2所示，薄膜晶体管通常包括：栅极101，位于栅极101上的栅绝缘层102，位于栅绝缘层102上的有源层103，以及位于有源层103上的源极104和漏极105。由于现有技术中源极104和漏极105之间的有源层区域106位于栅绝缘层102上部，会有一部分侧光（如图2薄膜晶体管两侧的带箭头直线所示）照到该区域，导致显示产品产生较大的漏电流（Ioff），从而会导致显示画面出现残像的问题，影响显示画面品质。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种具有特殊结构薄膜晶体管结构，可以有效地解决了薄膜晶体管漏电流（Ioff）过高和残像等问题，从而可有效提强画面品质。

为了解决上述技术问题，本实用新型对薄膜晶体管结构作了进一步的改进：

本实用新型的薄膜晶体管，包括栅极，覆盖于栅极之上的栅绝缘层，覆盖于栅绝缘层之上的有源层以及覆盖于有源层之上的源极和漏极，其中，所述栅绝缘层上设有凹槽，所述有源层位于凹槽内部，所述凹槽侧壁上设有挡光层，所述有源层的上表面低于所述挡光层的上端面。

作为本实用新型的进一步改进，本实用新型的薄膜晶体管的源极、漏极上表面低于所述挡光层的上端面。

作为本实用新型的进一步改进，本实用新型的薄膜晶体管的挡光层覆盖整个凹槽侧壁，挡光层包括纵向延伸部和由纵向延伸部上端横向延伸形成的横向延伸部，横向延伸部延伸到栅绝缘层上表面。

作为本实用新型的进一步改进，本实用新型的挡光层的材料为金、银、铜、铝、钛、铬、钼、镉、镍或钴。

作为本实用新型的进一步改进，本实用新型的薄膜晶体管的有源层为氧化物半导体有源层。

作为本实用新型的进一步改进，本实用新型的薄膜晶体管的有源层为多晶硅有源层。

另外，本实用新型还提供一种阵列基板，包括衬底，其中，所述衬底上设有上述任一薄膜晶体管。

另外，本实用新型还提供一种显示装置，该显示装置采用上述阵列基板。

与现有技术相比，本实用新型的薄膜晶体管具有一个凹槽区域，并且在凹槽两端加入挡光层，起到挡光的作用，挡住部分背光源从侧面照射的光照，从而可以有效减小漏电流，能够有效改善残像以及提高面板的显示品质。

附图说明

下面结合附图和实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。

图1为现有技术薄膜晶体管结构平面结构示意图；

图2为现有技术中薄膜晶体管结构A-A方向截面图；

图3为本实用新型的薄膜晶体管结构平面结构示意图；

图4为本实用新型的薄膜晶体管结构B-B方向截面图；

图5为本实用新型具体实施方式的薄膜晶体管的形成方法流程图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参照图3、图4，图3是本实用新型的薄膜晶体管结构平面结构示意图，图4是本实用新型的薄膜晶体管结构B-B方向的截面图。本实用新型的薄膜晶体管，包括栅极201，覆盖于栅极201之上的栅绝缘层202，覆盖于栅绝缘层202之上的有源层203，以及覆盖于有源层203之上的源极204和漏极205，其中，所述栅绝缘层202上设有凹槽206，所述有源层203位于凹槽206内部，所述凹槽206侧壁上设有挡光层207，所述有源层203的上表面低于所述挡光层207的上端面。由于挡光层207的阻挡作用，能够阻挡一部分背光源反射过来的侧光（如图4薄膜晶体管两侧的带箭头直线所示）照到有源层区域，相较于现有技术中的薄膜晶体管而言，本实用新型能够有效减小薄膜晶体管在光照状态下漏电流，从而可以改善残像以及提高面板的显示品质。

优选的，本实施例的薄膜晶体管的源极204、漏极205上表面低于所述挡光层207的上端面。