[实用新型]薄膜晶体管、阵列基板及显示装置有效
| 申请号： | 201320201256.X | 申请日： | 2013-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN203288600U | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 马禹 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 显示装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种薄膜晶体管，包括栅极，覆盖于栅极之上的栅绝缘层，覆盖于栅绝缘层之上的有源层以及覆盖于有源层之上的源极和漏极，其特征在于，所述栅绝缘层上设有凹槽，所述有源层位于凹槽内部，所述凹槽侧壁上设有挡光层，所述有源层的上表面低于所述挡光层的上端面。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极、漏极上表面低于所述挡光层的上端面。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述挡光层覆盖整个凹槽侧壁，挡光层包括纵向延伸部和由纵向延伸部上端横向延伸形成的横向延伸部，横向延伸部延伸到栅绝缘层上表面。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述挡光层的材料为金、银、铜、铝、钛、铬、钼、镉、镍或钴。
5.根据权利要求1至4任一所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层为氧化物半导体有源层。
6.根据权利要求1至4任一所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层为多晶硅有源层。
7.一种阵列基板，包括衬底，其特征在于，所述衬底上设有权利要求1至6任一所述的薄膜晶体管。
8.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置采用权利要求7所述的阵列基板。
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