[实用新型]TFT阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201320125871.7 | 申请日: | 2013-03-19 |
公开(公告)号: | CN203117620U | 公开(公告)日: | 2013-08-07 |
发明(设计)人: | 郭建 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L23/50 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种TFT阵列基板及显示装置,以解决现有技术中过多使用掩膜板的问题。本实用新型提供的TFT阵列基板包括:栅线、栅电极、栅绝缘层、有源层、源漏电极、残余半导体层、信号线和形成在信号线和残余半导体层上的过孔,该过孔的侧壁使栅绝缘层、信号线和残余半导体层的侧断面暴露,底面使栅线表面暴露,并且过孔内形成有使信号线与栅线电性连接的搭接导电层。本实用新型中可采用一次构图工艺形成位于栅电极上方的有源层、源极和漏极,以及位于栅线上方的残余半导体层和覆盖残余半导体层的信号线,能够减少掩膜板的使用。 | ||
搜索关键词: | tft 阵列 显示装置 | ||
【主权项】:
一种TFT阵列基板,其特征在于,包括:形成在基板上的栅线和栅电极;覆盖所述栅线和所述栅电极的栅绝缘层;形成在所述栅绝缘层上并位于所述栅电极上方的有源层、源极和漏极;形成在所述栅绝缘层上并位于所述栅线上方的残余半导体层,以及覆盖所述残余半导体层的信号线;形成在所述信号线和残余半导体层上的过孔,所述过孔的侧壁使所述栅绝缘层、信号线和所述残余半导体层的侧断面暴露,所述过孔的底面使所述栅线表面暴露;所述过孔内形成有使所述信号线与所述栅线电性连接的搭接导电层。
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