[实用新型]TFT阵列基板及显示装置

权利要求书

1.一种TFT阵列基板，其特征在于，包括：

形成在基板上的栅线和栅电极；

覆盖所述栅线和所述栅电极的栅绝缘层；

形成在所述栅绝缘层上并位于所述栅电极上方的有源层、源极和漏极；

形成在所述栅绝缘层上并位于所述栅线上方的残余半导体层，以及覆盖所述残余半导体层的信号线；

形成在所述信号线和残余半导体层上的过孔，所述过孔的侧壁使所述栅绝缘层、信号线和所述残余半导体层的侧断面暴露，所述过孔的底面使所述栅线表面暴露；

所述过孔内形成有使所述信号线与所述栅线电性连接的搭接导电层。

2.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述过孔包括：

暴露所述信号线和所述残余半导体层的侧断面，并暴露栅绝缘层表面的容置空间；和

由所述栅绝缘层通过过孔工艺形成，并暴露所述栅线表面的栅过孔。

3.如权利要求1或2所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述搭接导电层为部分位于所述过孔内以及部分位于所述信号线上方的导电薄膜。

4.如权利要求3所述的TFT阵列基板，其特征在于，该TFT阵列基板还包括与漏极相连的像素电极，且所述搭接导电层与所述像素电极位于同一层。

5.如权利要求4所述的TFT阵列基板，其特征在于，该TFT阵列基板还包括：

钝化层；

所述钝化层上对应所述信号线的位置处，具有底面暴露出所述信号线表面的钝化层过孔；以及

通过所述钝化层过孔与所述信号线电性连接的公共电极。

6.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-5任一项所述的TFT阵列基板。