[实用新型]TFT阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示器制作领域，尤其涉及一种TFT阵列基板及显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD）的主体结构包括对盒在一起并将液晶夹设其间的阵列基板和彩膜基板，阵列基板上形成有栅线、数据线以及以矩阵方式排列的薄膜晶体管和像素电极等。

如图1所示为现有的TFT阵列基板制作流程图，包括：

步骤S101：形成栅电极1和栅线2。

在基板上沉积栅极金属材料，并利用掩膜板刻蚀形成栅电极1和栅线2，如图2A所示。

步骤S102：形成栅绝缘层3和有源层4。

在栅电极1和栅线2之上沉积形成栅绝缘层3，并在栅绝缘层3上沉积半导体层，并利用掩膜板刻蚀形成位于栅电极1上方的有源层4，如图2B所示。

步骤S103：形成像素电极6。

在有源层4上方沉积透明导电薄膜并利用掩膜板对该透明导电薄膜进行图案化处理，形成像素电极6，如图2C所示。

步骤S104：形成电性连接栅线与信号线的栅过孔9。

利用掩膜板，在栅绝缘层3对应待形成信号线的位置处进行打孔，形成栅过孔9，以使后续形成的信号线通过该栅过孔9与栅线2电性连接，如图2D所示。

步骤S105：沉积金属层，形成信号线5和源极51、漏极52。

在形成有栅过孔9的栅绝缘层上方沉积金属层，并利用掩膜板形成位于栅电极1和有源层4之上的源极51和漏极52，并且漏极52与像素电极6连接，在形成源漏极的同时还需要形成位于栅线2上方的信号线5，并且信号线5通过栅过孔9与栅线2电性连接，如图2E所示。

步骤S106：在源漏电极层上形成钝化层7，并利用掩膜板对钝化层7进行图案化处理，形成连接公共电极与信号线的钝化层过孔10，如图2F所示。

步骤S107：在钝化层7上沉积公共电极层，并利用掩膜板进行图案化处理，形成公共电极8，并使公共电极8通过钝化层过孔10与信号线5电性连通，从而使得栅线2、信号线5与公共电极8实现互联，如图2G所示。

现有的上述TFT阵列基板制作方法，通过在栅绝缘层上打孔然后沉积金属层，使得栅线和信号线实现电性连接，随后再进行源漏极、钝化层等的构图工艺，需要使用七次掩膜板进行图案化处理，而过多的使用掩膜板，将会严重影响产出，使得成本增加和工艺复杂，并且还会导致良率降低。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种TFT阵列基板及显示装置，以解决现有技术中过多使用掩膜板的问题。

本实用新型的目的是通过以下技术方案实现的：

本实用新型一方面提供了一种TFT阵列基板，包括：

形成在基板上的栅线和栅电极；

覆盖所述栅线和所述栅电极的栅绝缘层；

形成在所述栅绝缘层上并位于所述栅电极上方的有源层、源极和漏极；

形成在所述栅绝缘层上并位于所述栅线上方的残余半导体层，以及覆盖所述残余半导体层的信号线；

形成在所述信号线和残余半导体层上的过孔，所述过孔的侧壁使所述栅绝缘层、信号线和所述残余半导体层的侧断面暴露，所述过孔的底面使所述栅线表面暴露；

所述过孔内形成有使所述信号线与所述栅线电性连接的搭接导电层。

本实用新型另一方面还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述TFT阵列基板。

本实用新型提供的TFT阵列基板及显示装置，TFT阵列基板包括：栅线、栅电极、栅绝缘层、有源层、源漏电极、残余半导体层、覆盖残余半导体层的信号线和形成在信号线和残余半导体层上的过孔，该过孔的侧壁使栅绝缘层、信号线和残余半导体层的侧断面暴露，底面使栅线表面暴露，并且过孔内形成有使信号线与栅线电性连接的搭接导电层，即本实用新型提供的TFT阵列基板不仅能够实现信号线与栅线的电性连接，而且可采用一次构图工艺，同时对半导体层和金属层进行刻蚀，能够减少掩膜板的使用。

附图说明

图1为现有技术中TFT阵列基板制作方法流程图；

图2A-图2G为现有技术中阵列基板形成过程的结构示意图；

图3为本实用新型提供的TFT阵列基板制作方法流程图；

图4A-图4F为本实用新型中阵列基板形成过程的结构示意图。

具体实施方式