[实用新型]一种能提升光效的发光二极管有效

专利信息
申请号: 201320103251.3 申请日: 2013-03-07
公开(公告)号: CN203134862U 公开(公告)日: 2013-08-14
发明(设计)人: 庄曜玮 申请(专利权)人: 南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司
主分类号: H01L33/50 分类号: H01L33/50;H01L33/60
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100083 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种能提升光效的发光二极管,涉及光电技术领域。本实用新型包括衬底以及置于衬底上方依次由N型半导体层、发光层、P型半导体层和透明导电层组成的发光结构。在N型半导体层上的一端置有N型电极,透明导电层上、与N型电极相对的另一端置有P型电极。衬底下方为反射层,衬底和反射层之间置有荧光粉层。同现有技术相比,本实用新型利用入射光、反射光在发光二极管底部多次激发荧光粉产生能量转移避免激发波长在晶粒内部二次吸收,减少了能量损失,提高了荧光粉激发混光效率,从而有效提升发光二极管的光效。
搜索关键词: 一种 提升 发光二极管
【主权项】:
一种能提升光效的发光二极管,它包括衬底(3)以及置于衬底(3)上方依次由N型半导体层(4)、发光层(6)、P型半导体层(7)和透明导电层(8)组成的发光结构,在N型半导体层(4)上的一端置有N型电极(5),透明导电层(8)上、与N型电极(5)相对的另一端置有P型电极(9),所述衬底(3)下方为反射层(1),其特征在于,所述衬底(3)和反射层(1)之间置有荧光粉层(2)。
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