[实用新型]扩散炉实验用石英舟有效
申请号: | 201320041979.8 | 申请日: | 2013-01-27 |
公开(公告)号: | CN203038902U | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
发明(设计)人: | 陆晓东;伦淑娴;周涛;张明;王月 | 申请(专利权)人: | 渤海大学 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;C30B31/14 |
代理公司: | 锦州辽西专利事务所 21225 | 代理人: | 李辉 |
地址: | 121000 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 一种扩散炉实验用石英舟,包括多根立杆,在立杆下部套装有圆形底盘,所述立杆的下端露出圆形底盘,在圆形底盘上表面设有多组框架,在每组框架中框架竖边框内侧设有多个斜卡槽,所述斜卡槽的底面倾斜且倾角为45°,在每个立杆上设有多个弧形卡槽,位于不同高度的斜卡槽及位于不同高度的弧形卡槽的宽度不相等。由于斜卡槽、弧形卡槽的宽度不等,可放置不同形状、厚度的硅晶片,试验成本低,且固定牢固可靠,结果准确。由于设有直径大于硅晶片的圆形底盘,气体的流速被大大降低,降低了杂质源的消耗,成本低。由于每两个框架上下平行布置成为一组,且同组内的两个框架,其斜卡槽位于同一平面内,适用于不同大小的方形硅晶片,适用范围广。 | ||
搜索关键词: | 扩散 实验 石英 | ||
【主权项】:
一种扩散炉实验用石英舟,包括多根立杆,其特征是:在立杆下部套装有圆形底盘,所述立杆的下端露出圆形底盘,在圆形底盘上表面设有多组框架,每组由两个前后平行布置的框架构成,在每组框架竖边框内侧上下对应位置设有多个斜卡槽,所述斜卡槽的底面由外向内倾斜且倾角为45°,同组框架内的前后对应的斜卡槽分别位于同一平面内,在每个立杆上位于框架上方位置设有多个上下对应的弧形卡槽,对应同一高度的弧形卡槽位于同一个圆弧面上,位于不同高度的斜卡槽及位于不同高度的弧形卡槽的宽度不相等。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造