[实用新型]AMOLED低掺杂度漏极TFT制作工序中的结构

摘要

本实用新型公开了一种AMOLED低掺杂度漏极TFT制作工序中的结构，所述制作工序包括在玻璃基板上蒸镀氧化物缓冲层、非晶硅、Ni原子单位，结晶化a-Si及一次蒸镀绝缘膜、二次蒸镀绝缘膜等工序，所述一次蒸镀绝缘膜后，AMOLED低掺杂度漏极TFT制作工序中的结构包括玻璃基板及依次覆盖于玻璃基板上的氧化物缓冲层、非晶硅层、栅极绝缘层、栅极金属层和绝缘膜，所述绝缘膜厚度为本实用新型的有益效果：通过控制绝缘膜形成斜面区和平面区组合的特殊结构，实现在经过离子注入等后续工序后自然形成具备低掺杂度漏极的AMOLED用TFT，采用分两次蒸镀绝缘膜的手段减小了离子注入对绝缘膜的影响。

主权项

一种AMOLED低掺杂度漏极TFT制作工序中的结构，包括玻璃基板及依次覆盖于玻璃基板上的氧化物缓冲层、非晶硅层、栅极绝缘层、栅极金属层和绝缘膜，其特征在于，所述栅极绝缘层和栅极金属层呈金字塔状覆盖于非晶硅层上，所述绝缘膜包括直接覆盖于非晶硅层上的平面区和覆盖于金字塔状的栅极绝缘层和栅极金属层斜面的斜面区，所述栅极绝缘层和栅极金属层在非晶硅层的正投影区边缘包含于所述斜面区在非晶硅层的正投影区。