[实用新型]基于超级结的氮化镓HEMT器件有效
| 申请号： | 201320030306.2 | 申请日： | 2013-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN203118954U | 公开（公告）日： | 2013-08-07 |
| 发明（设计）人： | 李海鸥;黄伟;吴笑峰;李思敏;首照宇;于宗光;李琦;胡仕刚;邓洪高 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 桂林市持衡专利商标事务所有限公司 45107 | 代理人： | 陈跃琳 |
| 地址： | 541004 广*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种基于超级结的氮化镓HEMT器件，其能够在低导通电阻的情况下提高器件击穿电压。所述基于超级结的氮化镓HEMT器件包括蓝宝石HEMT外延片、不掺杂AlN层、不掺杂GaN层、不掺杂AlGaN层、源极、栅极、漏极、栅漏极之间基于F离子处理技术形成的超级结区。所述方法采用干法ICP刻蚀出Mesa隔离结构，分别蒸发源漏极金属和栅极金属形成源、漏和栅极；采用基于F离子处理技术在栅极-漏极区域形成的超级结。本实用新型相对于常规的氮化镓HEMT器件具有导通电阻低、击穿电压高、开关反应速度快、功耗低和缓冲层漏电小的特点，可用于大功率电力电子开关、汽车电子、太阳能模块、电动车、雷达和制导等方面。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 超级 氮化 hemt 器件 | ||
【主权项】：
基于超级结的氮化镓HEMT器件，其主要由蓝宝石衬底（1）、AlN层（2）、GaN层（3）、AlGaN层（4）、源极（5）、漏极（6）和栅极（7）组成；其中蓝宝石衬底（1）、AlN层（2）、GaN层（3）和AlGaN层（4）自下而上依次叠放，源极（5）、漏极（6）和栅极（7）则分布位于AlGaN层（4）的上方；其特征在于：所述漏极（6）和栅极（7）之间设有至少一个F离子处理形成的超级结区（8），该超级结区（8）从AlGaN层（4）的上表面一直嵌入延伸至AlGaN层（4）的下部或GaN层（3）的上部。
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