[实用新型]一种多晶硅还原炉高频加热电源逆变主电路

摘要

一种多晶硅还原炉高频加热电源逆变主电路，包括二个相同第一、第二的逆变模块，负载、第一、第二电容组，所述的第一逆变模块是第一、第二、第三开关管组并联而成，第一电容组与第三开关管组并联；其中，电容组中包含2个电容；第一开关管组、第三开关管组的中点相互串接；第二开关管组中点与第五开关管组中点相连；所述负载的一端与第二开关管组中点相连，所述负载的另一端分别与二个电容组的中点相连开关管是由于IGBT与二极管并接而成。本实用新型的优点：采用IGBT高频逆变电路，利用趋肤效应，根据多晶硅棒的直径大小，控制通过多晶硅棒的电流大小和频率，达到只在多晶硅棒表面进行加热，降低生产能耗，同时降低在多晶硅棒生产后期大直径时的还原炉的温度，降低多晶硅还原生产的电能单耗。

主权项

一种多晶硅还原炉高频加热电源逆变主电路，其特征在于包括第一、第二的逆变模块，负载、第一、第二电容组，所述的第一逆变模块是由第一、第二、第三开关管组并联而成，所述的第一电容组与第三开关管组并联；其中，电容组中包含2个电容；第一开关管组、第三开关管组的中点（a、c）点相互串接；所述的第二逆变模块是由第四、第五、第六开关管组并联而成，所述的第二电容组与第六开关管组并联；其中，电容组中包含2个电容；第四开关管组、第六开关管组的中点（d、f）相互串接；所述的第二开关管组中点（b）与第五开关管组中点（e）相连；所述负载（R）的一端与第二开关管组中点（b）相连，所述负载（R）的另一端分别与二个电容组的中点相连。