[发明专利]太阳能电池的背面接触设计及其制造方法有效
申请号: | 201310756346.X | 申请日: | 2013-12-30 |
公开(公告)号: | CN104576821A | 公开(公告)日: | 2015-04-29 |
发明(设计)人: | 程子桓;蔡家弘 | 申请(专利权)人: | 台积太阳能股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/20;H01L31/0352;H01L31/02;H01L31/06 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供了太阳能电池的背面接触设计及其制造方法。本发明公开了一种方法,该方法包括在位于太阳能电池衬底上方的背面接触层上的多个位置处直接沉积间隔件。在背面接触层和间隔件的上方形成吸收层。吸收层部分与间隔件接触同时部分与背面接触层直接接触。加热太阳能衬底,以在介于吸收层和背面接触层之间的间隔件的位置处形成空隙。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 背面 接触 设计 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种方法,包括:在直接位于太阳能电池衬底上方的背面接触层上的多个位置处沉积间隔件;在所述背面接触层和所述间隔件的上方形成吸收层,所述吸收层部分地与所述间隔件接触且部分地与所述背面接触层直接接触;以及加热所述太阳能电池衬底,以在所述吸收层和所述背面接触层之间的所述间隔件的位置处形成空隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的