[发明专利]太阳能电池的背面接触设计及其制造方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

在直接位于太阳能电池衬底上方的背面接触层上的多个位置处沉积间隔件；

在所述背面接触层和所述间隔件的上方形成吸收层，所述吸收层部分地与所述间隔件接触且部分地与所述背面接触层直接接触；以及

加热所述太阳能电池衬底，以在所述吸收层和所述背面接触层之间的所述间隔件的位置处形成空隙。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述间隔件的步骤包括在所述背面接触层上喷射间隔件材料粒子。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述间隔件材料包括金属氧化物。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述间隔件材料包括二氧化硅或高电阻化合物半导体。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述间隔件材料粒子的尺寸介于约100nm至约500nm之间。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述间隔件的步骤包括：在所述背面接触层上喷射纳米粒子。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述间隔件的步骤包括：

在所述背面接触层上沉积二氧化硅膜或绝缘膜；以及

使用光刻工艺去除所述二氧化硅膜或绝缘膜的位于所述间隔件的位置外侧的部分。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述间隔件的步骤包括：用间隔件材料覆盖所述背面接触层的约70%至约80%。

9.一种方法，包括：

在直接位于太阳能电池衬底上方的背面接触层上的多个位置处喷射间隔件材料；以及

在所述背面接触层和所述间隔件材料的上方形成吸收层，使得约10%至约80%的所述吸收层与所述间隔件材料直接接触，以及约90%至约20%的所述吸收层与所述背面接触层直接接触。

10.一种太阳能电池，包括：

太阳能电池衬底；

背面接触层，位于所述太阳能电池衬底的上方；

吸收层，包括吸收层材料且位于所述背面接触层上方，所述吸收层材料部分地与所述背面接触层直接接触，所述吸收层材料其中具有多个空隙，所述空隙直接位于所述背面接触层上；

缓冲层，位于所述吸收层的上方；以及

正面接触层，位于所述缓冲层的上方。