[发明专利]一种射频功率LDMOS器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201310754664.2 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103762239A | 公开（公告）日： | 2014-04-30 |
| 发明（设计）人： | 杜寰;朱喜福 | 申请（专利权）人： | 上海联星电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 200136 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种射频功率LDMOS器件及其制备方法，包括源极、栅极、漏极，以及硅型衬底，P-epi区域，P+sinker区域，P+base区域，栅氧化层，LDD区域，所述LDD区域为漂移区。优选地，栅氧化层边缘具有鸟嘴结构，并采用侧墙工艺。在满足击穿电压要求的条件下，本发明的LDMOS器件显著减小了漂移区导通电阻和源漏寄生电容，明显优化了器件的直流和射频特性，具有优越的性能和广阔的市场前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 射频 功率 ldmos 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种射频功率LDMOS器件，包括源极、栅极、漏极，其特征在于，还包括以下结构：硅型衬底，P‑epi区域，P+sinker区域，P+base区域，栅氧化层，LDD区域，所述LDD区域为漂移区。
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