[发明专利]一种射频功率LDMOS器件及其制备方法

权利要求书

1.一种射频功率LDMOS器件，包括源极、栅极、漏极，其特征在于，还包括以下结构：硅型衬底，P-epi区域，P+sinker区域，P+base区域，栅氧化层，LDD区域，所述LDD区域为漂移区。

2.如权利要求1所述的射频功率LDMOS器件，其特征在于，所述栅氧化层边缘具有鸟嘴结构。

3.如权利要求1或2所述的射频功率LDMOS器件，其特征在于，其制备中包括侧墙工艺，所述侧墙工艺操作在P+base注入后，在LDD注入之前进行。

4.如权利要求2或3所述的射频功率LDMOS器件，其特征在于，所述鸟嘴结构的厚度约为

5.如前述权利要求中任一项所述的射频功率LDMOS器件，其特征在于，还包括场板，所述场板为场板同源极相连的源场板（Source Field Plate）结构，所述源场板结构通过源极金属延伸到漂移区上方覆盖所述漂移区所形成；所述漂移区为具有彼此相邻的LDD1区和LDD2区的漂移区，所述LDD2区位于LDD1区上方；所述LDD1区为深结区域，LDD2区为浅结区域；所述具有彼此相邻的LDD1区和LDD2区的漂移区通过两次注入形成，其中LDD1区的结深约1μm，并且，通过使用相同的掩膜板进行所述两次注入。

6.如前述权利要求中任一项所述的射频功率LDMOS器件，其特征在于，所述硅型衬底为掺杂浓度为4e17的P+的硅型衬底；其上为所述P-epi区域，所述P-epi区域掺杂浓度为1.2e15、厚度为6μm；所述P+sinker区域采用高能注入B杂质，高温推阱后形成；所述栅氧化层厚度为所述栅极由多晶硅淀积掺杂和刻蚀形成，刻蚀长度优选为1μm；所述漂移区长度为3-5μm；所述LDD1区的注入浓度为1e12至3e12cm^-2，所述LDD2区的注入浓度为2e11至2e12cm^-2；所述场板下具有氧化层，其厚度为0.5-1μm；场板长度为0-2μm；优选地，所述漂移区长度为4μm，所述LDD1区的注入浓度为2e12cm^-2，所述LDD2区的注入浓度为1.2e12cm^-2，所述场板长度为1.4-2μm。

7.一种射频功率LDMOS器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）在P+的硅型衬底上外延p-epi区域；

（2）高能注入B杂质，高温推阱后形成P+sinker区域；

（3）形成栅氧化层；

（4）进行多晶硅的淀积掺杂和刻蚀，形成栅电极（栅极）；

（5）进行所述P+base区域的注入和/或扩散，以及，所述漂移区的注入和/或扩散；

优选地，所述射频功率LDMOS器件的制备方法用于制备如权利要求1-6任一项所述的射频功率LDMOS器件。

8.如权利要求7所述的射频功率LDMOS器件的制备方法，其特征在于，在栅极生成后还包括热氧化栅隔板步骤，以在栅极边缘形成鸟嘴结构。

9.如权利要求7或8所述的射频功率LDMOS器件的制备方法，其特征在于，在P+base注入之后增加侧墙工艺，以减少源极和漂移区在沟道下的扩散。

10.如权利要求7-9任一项所述的射频功率LDMOS器件的制备方法，其特征在于，所述步骤（5）进一步包括以下步骤：

（5.1）进行P+base的注入和所述漂移区的所述LDD1区的注入；

（5.2）同时进行P+base区域的扩散和LDD1区域的扩散；

（5.3）扩散过程后进行所述漂移区的所述LDD2区的注入。

其中，LDD2区同LDD1区使用相同的掩膜板；

以及

源极金属覆盖漂移区形成源场板（Source Field Plate，SFP）结构的场板。