[发明专利]功率半导体器件背面制造方法在审

申请号：	201310753735.7	申请日：	2013-12-31
公开（公告）号：	CN103730356A	公开（公告）日：	2014-04-16
发明（设计）人：	周伟;张伟;严利人;刘志弘;许平;王全	申请（专利权）人：	上海集成电路研发中心有限公司;清华大学
主分类号：	H01L21/331	分类号：	H01L21/331;H01L21/265
代理公司：	上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275	代理人：	吴世华;林彦之
地址：	201210 上***	国省代码：	上海;31
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摘要：	本发明涉及一种IGBT器件背面制造方法，至少包括下述步骤：a)将正面结构加工完毕的硅片背面减薄；b)在硅片背面用高能离子注入机注入质子H+；c)对硅片进行低温退火；d)在硅片背面用离子注入机注入磷和/或硼杂质；e)以激光退火工艺完成硅片背面表层的晶格修复，并激活杂质。其利用离子注入缺陷产生的复合中心形成少子控制区，有效降低少子寿命，且当IGBT正向关断时，其通过提高载流子的复合效率，有效降低IGBT的关断时间和功耗，该方法简单而有效、便于推广。
搜索关键词：	功率半导体器件背面制造方法
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【主权项】：

一种IGBT器件背面制造方法，至少包括下述步骤：a)、将正面结构加工完毕的硅片背面减薄；b)、在所述硅片背面用高能离子注入机注入质子H+；c)、对所述硅片进行低温退火；d)、在所述硅片背面用离子注入机注入磷和/或硼杂质；e)、以激光退火工艺完成所述硅片背面表层的晶格修复，并激活所述杂质。

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