[发明专利]一种具有氧化物薄膜电晶体的发光装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201310753193.3 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103762223A | 公开（公告）日： | 2014-04-30 |
| 发明（设计）人： | 刘思呈 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;刘华联 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有氧化物薄膜电晶体的发光装置，包括：衬底以及衬底上形成的基底绝缘层；栅电极、源电极和漏电极，其中，栅电极设在基底绝缘层上，在栅电极与源电极和漏电极之间形成栅电极绝缘层，氧化物半导体层，其中，所述氧化物半导体层包括源区和漏区，和用以提供源电极和漏电极之间导电沟道的沟道区；钝化层，其设在部分栅电极绝缘层、源电极、漏电极以及氧化物半导体层上；遮光层，其设在所述钝化层上用以遮挡外界光射到所述氧化物半导体层；包括第一电极和第二电极的有机发光体，其中所述第一电极的一部分穿过所述钝化层与所述源电极或者漏电极电连接。采用本发明可提高元件的导电性能和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 氧化物 薄膜 电晶体 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有氧化物薄膜电晶体的发光装置，其特征在于，包括：衬底以及衬底上形成的基底绝缘层；栅电极、源电极和漏电极，其中，栅电极设在基底绝缘层上，在栅电极与源电极和漏电极之间形成栅电极绝缘层，氧化物半导体层，其中，所述氧化物半导体层包括分别与所述源电极和漏电极电接触的源区和漏区，和用以提供源电极和漏电极之间导电沟道的沟道区；钝化层，其设在部分栅电极绝缘层、源电极、漏电极以及氧化物半导体层上；遮光层，其设在所述钝化层上用以遮挡外界光射到所述氧化物半导体层；包括第一电极和第二电极的有机发光体，其中所述第一电极的一部分穿过所述钝化层与所述源电极或者漏电极电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
