[发明专利]基于NV-色心金刚石—MEMS混合结构的陀螺仪及制作方法有效
申请号: | 201310752272.2 | 申请日: | 2013-12-31 |
公开(公告)号: | CN103743390A | 公开(公告)日: | 2014-04-23 |
发明(设计)人: | 房建成;张宁;张晨;袁珩 | 申请(专利权)人: | 北京航空航天大学 |
主分类号: | G01C19/58 | 分类号: | G01C19/58;G01C19/56;G01C25/00 |
代理公司: | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人: | 孟卜娟 |
地址: | 100191*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供的一种基于NV-色心金刚石—MEMS混合结构的陀螺仪及制作方法,包括信号调理电路板、雪崩光电二极管(APD)、垂直腔面发射激光器(VCSEL)、制作于绝缘衬底上的硅材料(SOI)上的NV-色心金刚石—MEMS混合结构和滤波片;结合了NV-色心金刚石自旋陀螺仪和MEMS陀螺仪的优点,克服了NV-色心金刚石陀螺仪和MEMS陀螺仪的不同误差源影响,具有更高的理论灵敏度和更好的稳定性,具有体积小、成本低、灵敏度高、操作条件简易等优势,对研制新一代基于固体原子自旋效应和MEMS效应的混合陀螺仪有着重要的价值,将服务于未来各个领域特别是低成本的惯性导航和测姿系统。 | ||
搜索关键词: | 基于 nv sup 色心 金刚石 mems 混合结构 陀螺仪 制作方法 | ||
【主权项】:
一种基于NV‑色心金刚石—MEMS混合结构的陀螺仪,其特征在于,包括信号调理电路板(4)、雪崩光电二极管(APD)(2)、垂直腔面发射激光器(VCSEL)(3)、制作于绝缘衬底上的硅材料(SOI)(1)上的NV‑色心金刚石—MEMS混合结构和滤波片(5);所述NV‑色心金刚石—MEMS混合结构包括两种不同机理的敏感部件:NV‑色心金刚石惯性敏感部件(18)和MEMS悬臂梁惯性敏感部件(19);所述的MEMS悬臂梁惯性敏感部件(19)包括位于SOI(1)中心位置的MEMS悬臂梁(17),其根部由SOI上层硅板(6)伸出并与SOI下层硅板(8)分离,其顶端与SOI下层硅板(8)边缘齐平;SOI中层二氧化硅板(7)的下边缘与MEMS悬臂梁(17)的根部齐平;SOI下层硅板(8)上具有第一金电极(9)与第二金电极(10),相对于MEMS悬臂梁(17)对称分布,形成MEMS惯性敏感部件(19)输出电容变化信号;所述NV‑色心金刚石惯性敏感部件包括NV‑色心金刚石,其位于在MEMS悬臂梁(17)上形成的的波导槽(11)中,波导槽(11)从MEMS悬臂梁(17)中部贯穿至SOI上层硅板(6)上边缘;在波导槽(11)的底端粘贴有的永磁体(16),用来产生操控电子能级所需要的静磁场,同样大小的反射镜(15)固定于永磁体(16)之前以反射金刚石发出的637nm荧光;NV‑色心金刚石(14)放置于反射镜(15)前面;在波导槽(11)中滴入SU‑8光刻胶(12)形成波导介质以传递532nm激光和637nm荧光,从而实现电子自旋极化和荧光检测;作为微波天线的金导线(13)位于波导槽(11)的中线上,从SOI上层硅板(6)上边缘延伸至金刚石(14)下边缘以实现电子能级操控;所述的APD(2)、VCSEL(3)、SOI(1)和滤波片(5)均位于信号调理电路板(4)上;信号调理电路板(4)发生微波频率控制信号、接收并调理APD(2)输出荧光强度信号、接收并调理第一金电极(9)和第二金电极(10)输出电容变化信号和发生VCSEL(3)通断控制信号;VCSEL(3)放置于SOI(1)上方,发出532nm激光来激发金刚石(14)电子自旋;金导线(13)接到信号调理电路板(4)上,通过传输无线电频率控制信号实现电子能级间的跃迁,从而控制荧光强度的变化同时控制APD输出的检测电压;APD(2)紧贴在波导槽(11)底部,吸收SU‑8光刻胶(12)传递出的金刚石(14)发出的637nm荧光;滤波片(5)位于APD和SOI输出荧光端之间,阻断532nm光的同时使637nm荧光透过到APD(2);SOI下层硅板(8)上的第一金电极(9)和第二金电极(10)通过导线连接到信号调理电路板(4)上输出MEMS悬臂梁(17)振动引起的电容变化信号。
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