[发明专利]一种用于图像传感器的结构的制造方法有效

专利信息
申请号: 201310747025.3 申请日: 2013-12-30
公开(公告)号: CN103681722B 公开(公告)日: 2018-11-09
发明(设计)人: 顾学强;周伟;陈力山 申请(专利权)人: 上海集成电路研发中心有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L21/768
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 代理人: 吴世华;林彦之
地址: 201210 上*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种用于图像传感器的结构的制造方法,其包括在衬底上形成多个像素单元的光电二极管、MOS晶体管和悬浮漏极;形成接触孔和第一层金属互连线,所述第一层金属互连线包括通过所述接触孔与所述MOS晶体管和所述悬浮漏极电连接的部分;可选择地形成第一通孔及第二层金属互连线,其中所述第二层金属互连线未和所述第一层金属互连线与所述悬浮漏极电连接的部分相连;以及形成第二通孔及第三层金属互连线,其中所述第二通孔位于所述第一层金属互连线与所述悬浮漏极电连接的部分的正上方,所述第三层金属互连线通过所述第二通孔与所述第二通孔下方的金属互连线电连接。本发明可实现图像传感器常规像素阵列的复用。
搜索关键词: 一种 用于 图像传感器 结构 制造 方法
【主权项】:
1.一种用于图像传感器的结构的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S1:在衬底上形成多个像素单元,每一所述像素单元包括光电二极管、传输管、行选管、复位管、源极跟随管和悬浮漏极,所述多个像素单元的悬浮漏极互不直接相连;步骤S2:形成接触孔和第一层金属互连线,所述第一层金属互连线包括第一部分,所述第一层金属互连线的第一部分通过所述接触孔将每一所述像素单元的悬浮漏极、复位管的源极以及源极跟随管的栅极电连接;步骤S3:形成第二通孔及第三层金属互连线,其中所述第二通孔位于所述第一层金属互连线的第一部分的正上方,所述第三层金属互连线通过所述第二通孔与所述第一层金属互连线的第一部分电连接,以将所述多个像素单元的悬浮漏极并联引出。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海集成电路研发中心有限公司,未经上海集成电路研发中心有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310747025.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top