[发明专利]去除伪栅的方法

摘要

本发明提供一种去除伪栅的方法，在去除伪栅的步骤中，通过采用脉冲等离子体刻蚀对所述伪栅进行第一刻蚀，然后对残余的伪栅进行第二刻蚀，在采用脉冲等离子体刻蚀对所述伪栅进行第一刻蚀的过程中，刻蚀机采用脉冲方式输出源功率，以间断的方式对伪栅进行刻蚀，源功率输出的时间和空置的时间都很短，在源功率空置的间隙时间里，刻蚀产生的聚合物及实地从刻蚀形成的开口中排出，在无聚合物阻挡的条件下，等离子体刻蚀对尺寸不同的伪栅的刻蚀速率相等，在第一刻蚀结束时，尺寸较大的伪栅下的栅极介质层能保证较好的形貌，进而能够提高栅极介质层的性能。

主权项

1.一种去除伪栅的方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成伪栅结构，所述伪栅结构包括位于依次所述衬底上的栅极介质层以及伪栅；采用脉冲等离子体刻蚀对所述伪栅进行第一刻蚀，所述脉冲等离子体刻蚀对尺寸不同的伪栅的刻蚀速率保持一致；对残余的伪栅进行第二刻蚀；采用脉冲等离子体刻蚀对所述伪栅进行第一刻蚀的步骤包括：对所述伪栅进行第一刻蚀，直至露出栅极介质层表面；进行第二刻蚀的步骤包括：采用连续等离子体刻蚀对残余的伪栅进行刻蚀，刻蚀气体包括溴化氢、氧气和氦气。