[发明专利]背照式CMOS图像传感器及其形成方法

摘要

一种背照式CMOS图像传感器及其形成方法，其中背照式CMOS图像传感器的形成方法包括：提供第一晶圆和第二晶圆，在第一晶圆正面形成有多个像素单元，第一晶圆正面和第二晶圆键合；对第一晶圆背面进行减薄处理；在第一晶圆背面形成保护层；对第一晶圆背面进行离子注入，注入离子穿过保护层扩散进入第一晶圆背面形成隔离层；在形成隔离层后，在保护层上形成多个滤光片和位于滤光片上的透镜，每个滤光片与一个像素单元对准。保护层使第一晶圆背面免遭离子束损伤。而且，保护层可有效控制离子注入深度的目的，保证离子不会扩散到像素单元，光电二极管在无光照状态下的暗电流具有一致性，避免漏电现象，在光照状态下得到的图像清晰。

主权项

一种背照式CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供第一晶圆和第二晶圆，在所述第一晶圆正面形成有多个像素单元，所述第一晶圆正面和所述第二晶圆键合；对所述第一晶圆背面进行减薄处理；减薄处理后，在所述第一晶圆背面形成保护层；对所述第一晶圆背面进行离子注入，注入离子穿过所述保护层扩散进入第一晶圆背面形成隔离层；在形成所述隔离层后，在所述保护层上形成多个滤光片和位于所述滤光片上的透镜，每个滤光片与一个像素单元对准。