[发明专利]可控硅静电保护器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201310745752.6 | 申请日： | 2013-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104752417A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 代萌 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种可控硅静电保护器件及其形成方法，所述可控硅静电保护器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底内具有P型阱区和与P型阱区相邻的N型阱区；位于P型阱区内的第一P型掺杂区；位于第一P型掺杂区和N型阱区之间的P型阱区内第一N型掺杂区；位于N型阱区内的第二N型掺杂区；位于第二N型掺杂区和P型阱区之间N型阱区内的第二P型掺杂区；位于第一N型掺杂区和第二P型掺杂区之间且横跨P型阱区和N型阱区的第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区和第二掺杂区的掺杂的杂质离子的类型相同，第一掺杂区中杂质离子的浓度大于第二掺杂区中的杂质离子浓度。本发明的静电保护器件的触发电压降低，维持电压升高。 | ||
| 搜索关键词： | 可控硅 静电 保护 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种可控硅静电保护器件，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底内具有P型阱区和与P型阱区相邻的N型阱区；位于P型阱区内的第一P型掺杂区；位于第一P型掺杂区和N型阱区之间的P型阱区内第一N型掺杂区；位于N型阱区内的第二N型掺杂区；位于第二N型掺杂区和P型阱区之间N型阱区内的第二P型掺杂区；位于第一N型掺杂区和第二P型掺杂区之间且横跨P型阱区和N型阱区的第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区位于第二掺杂区中，第二掺杂区的深度大于第一掺杂区的深度，第一掺杂区和第二掺杂区的掺杂的杂质离子的类型相同，第一掺杂区中杂质离子的浓度大于第二掺杂区中的杂质离子浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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