[发明专利]具有超结结构的横向功率器件及制作方法无效
| 申请号： | 201310744620.1 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103745995A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 魏星;夏超;狄增峰;方子韦 | 申请（专利权）人： | 上海新傲科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 孙佳胤;翟羽 |
| 地址： | 201821 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有超结结构的横向功率器件及制作方法，所述具有超结结构的横向功率器件包括支撑衬底、位于所述支撑衬底表面的锗硅层、位于所述锗硅层表面的绝缘埋层和位于所述绝缘埋层表面的有源层；所述有源层包括栅区、分别位于所述栅区两侧的源区和漏区以及位于所述栅区和所述漏区之间的漂移区；所述漂移区包括以横向交替接触方式设置的多个具有第一导电类型的掺杂区和多个具有第二导电类型的掺杂区。本发明的优点在于，绝缘埋层下方的锗硅层的存在将极大的抑制衬底辅助耗尽效应，避免漂移区电荷失衡而引起提前击穿。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 结构 横向 功率 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种具有超结结构的横向功率器件，其特征在于，包括具有第一导电类型的支撑衬底、位于所述支撑衬底表面的锗硅层、位于所述锗硅层表面的绝缘埋层和位于所述绝缘埋层表面的有源层；所述有源层包括栅区、分别位于所述栅区两侧的源区和漏区以及位于所述栅区和所述漏区之间的漂移区；所述源区和所述漏区均具有第二导电类型；所述漂移区包括以横向交替接触方式设置的多个具有第一导电类型的掺杂区和多个具有第二导电类型的掺杂区。
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