[发明专利]具有超结结构的横向功率器件及制作方法无效
| 申请号： | 201310744620.1 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103745995A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 魏星;夏超;狄增峰;方子韦 | 申请（专利权）人： | 上海新傲科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 孙佳胤;翟羽 |
| 地址： | 201821 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 结构 横向 功率 器件 制作方法 | ||
1.一种具有超结结构的横向功率器件，其特征在于，包括具有第一导电类型的支撑衬底、位于所述支撑衬底表面的锗硅层、位于所述锗硅层表面的绝缘埋层和位于所述绝缘埋层表面的有源层；
所述有源层包括栅区、分别位于所述栅区两侧的源区和漏区以及位于所述栅区和所述漏区之间的漂移区；所述源区和所述漏区均具有第二导电类型；所述漂移区包括以横向交替接触方式设置的多个具有第一导电类型的掺杂区和多个具有第二导电类型的掺杂区。
2.根据权利要求1所述的具有超结结构的横向功率器件，其特征在于，所述有源层还包括阱区，所述阱区位于所述栅区之下，所述阱区具有第一导电类型。
3.根据权利要求1所述的具有超结结构的横向功率器件，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。
4.根据权利要求1所述的具有超结结构的横向功率器件，其特征在于，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。
5.一种具有超结结构的横向功率器件的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一带有绝缘埋层的硅衬底；
在所述硅衬底表面注入锗离子以形成锗硅层；
所述锗硅层和另一硅片键合；
在所述硅衬底表面形成有源层。
6.根据权利要求5所述的具有超结结构的横向功率器件的制作方法，其特征在于，在所述硅衬底表面注入锗离子后进行退火。
7.根据权利要求5所述的具有超结结构的横向功率器件的制作方法，其特征在于，在所述硅衬底表面形成有源层还包括在有源层内拟形成栅区和拟形成漏区之间的区域形成漂移区；采用离子注入的方式在所述漂移区内形成横向交替接触的具有第一导电类型的掺杂区和具有第二导电类型的掺杂区。
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