[发明专利]用于可适性自对准双图案成型的基于序列内测量的过程调谐

摘要

本申请公开了用于可适性自对准双图案成型的基于序列内测量的过程调谐。一种用于可适性自对准双图案成型的设备及其方法。该方法包含提供基材给处理平台，处理平台配置为执行蚀刻过程和沉积过程；及测量单元，其配置用于真空中临界尺寸(CD)测量。真空中CD测量用于过程序列处理平台的前馈可适性控制，或用于腔室过程参数的反馈与前馈可适性控制。在一个方面中，多层掩模层叠的第一层被蚀刻以形成样板掩模；对样板掩模做真空中CD测量；并且邻接样板掩模形成间隔物，使之达到与样板掩模的CD测量相关的宽度。

主权项

一种自对准双图案成型的方法，其包含以下步骤：将第一和第二基材装载至处理平台；将第一特征蚀刻至所述第一基材上方的层中；执行所述第一特征的第一真空中光学临界尺寸(OCD)测量；在所述第一特征上方执行第一薄膜的第一沉积；将第二特征蚀刻至所述第二基材上方的层中，其中，所述第一薄膜沉积的过程参数和所述第二特征蚀刻的过程参数与所述第一OCD测量相关；执行所述第二特征的第二真空中OCD测量；在所述第二特征上方执行第二薄膜的第二沉积，其中，所述第二薄膜沉积的过程参数与所述第一或第二OCD测量的至少一个相关；及将所述第一和第二基材从所述处理平台卸载。