[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310738813.6 | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN104752501B | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 陈勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 高伟,赵礼杰 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件包括隧道场效应晶体管，该隧道场效应晶体管中包括环绕源极与本征半导体的相邻区域的第一半导体层、环绕所述第一半导体层的第一栅极介电层以及环绕所述第一栅极介电层的栅极。本发明的半导体器件，由于隧道场效应晶体管包括环绕源极与本征半导体的相邻区域并位于源极与第一栅极介电层之间的第一半导体层，因此可以形成大的隧道路径区域，获得大的亚阈值摆幅以及大的开启电流和关断电流的比值，提高隧道场效应晶体管的性能，进而提高半导体器件的性能。本发明的半导体器件的制造方法，用于制造上述半导体器件，制得的半导体器件同样具有上述优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括半导体衬底以及位于所述半导体衬底内的嵌入式绝缘层，还包括位于所述半导体衬底上的隧道场效应晶体管；其中，所述隧道场效应晶体管包括位于所述嵌入式绝缘层之上的源极和漏极以及位于所述源极和所述漏极之间的本征半导体，还包括环绕所述源极与所述本征半导体的相邻区域的第一半导体层、环绕所述第一半导体层的第一栅极介电层以及环绕所述第一栅极介电层的栅极，其中，所述第一半导体层、所述栅极介电层与所述栅极低于所述源极和所述本征半导体的部分位于所述嵌入式绝缘层内。
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