[发明专利]一种集成无源器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310737683.4 | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN104752151B | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 郭亮良;马军德 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种集成无源器件及其制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底的正面和背面分别形成有顶部氧化物层和底部氧化物层，在顶部氧化物层上形成的薄膜介质层中形成有集成无源器件；实施成胶工艺形成热胶层，以覆盖薄膜介质层；蚀刻部分底部氧化物层形成底部开口，以露出半导体衬底；以所述底部开口为工艺窗口，蚀刻半导体衬底形成凹槽；实施去胶工艺去除热胶层，并在半导体衬底中形成腔室，露出顶部氧化物层。根据本发明，在形成有集成无源器件的衬底的背面形成所述腔室，从而使所述由标准衬底材料构成的衬底具有高阻抗，保证集成无源器件具有优越的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 无源 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成无源器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底的正面和背面分别形成有顶部氧化物层和底部氧化物层，在所述顶部氧化物层上形成的薄膜介质层中形成有集成无源器件；实施成胶工艺形成热胶层，以覆盖所述薄膜介质层；蚀刻部分所述底部氧化物层形成底部开口，以露出所述半导体衬底；以所述底部开口为工艺窗口，蚀刻所述半导体衬底形成凹槽；实施去胶工艺去除所述热胶层，并在所述半导体衬底中形成腔室，所述腔室露出所述顶部氧化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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