[发明专利]一种金属桥连缺陷的检测结构以及制备方法在审
| 申请号： | 201310737681.5 | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN104752247A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 葛洪涛;包小燕 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N21/95 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种金属桥连缺陷的检测结构以及制备方法，所述结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底中形成有阱区以及位于所述阱区内的掺杂区，其中，所述阱区和所述掺杂区具有不同的掺杂类型；通孔阵列，位于所述掺杂区上方；第一金属层和第二金属层，第一金属层位于所述通孔阵列上方，所述第二金属层位于所述第一金属层之间和/或四周；所述第一金属层、所述通孔阵列、所述掺杂区以及所述阱区形成竖直互联结构。所述方法实现了在线（in-line）检测，不仅能够准确的确定金属桥连的发生，而且还能够精准的对所述金属桥连的位置进行定位；所述检测结构能够和在线工具实现良好的兼容，而不在局限于WAT检测，不仅检测结构更加更加准确，而且应用更加广泛。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 缺陷 检测 结构 以及 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种金属桥连缺陷的检测结构，包括：半导体衬底，所述半导体衬底中形成有阱区以及位于所述阱区内的掺杂区，其中，所述阱区和所述掺杂区具有不同的掺杂类型；通孔阵列，位于所述掺杂区上方；第一金属层和第二金属层，所述第一金属层位于所述通孔阵列上方，所述第二金属层位于所述第一金属层之间和/或四周；所述第一金属层、所述通孔阵列、所述掺杂区以及所述阱区形成竖直互联结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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