[发明专利]一种阵列基板公共电极结构及其制造方法、阵列基板在审
申请号: | 201310730040.7 | 申请日: | 2013-12-26 |
公开(公告)号: | CN103728795A | 公开(公告)日: | 2014-04-16 |
发明(设计)人: | 徐向阳 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1368;G02F1/1362;H01L23/50;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙) 44238 | 代理人: | 潘中毅;熊贤卿 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供一种阵列基板公共电极结构及其制造方法、阵列基板,其中,阵列基板公共电极结构(1)包括:一对横向平行排列的条状栅金属(11),一对纵向排列且分别与所述栅金属(11)垂直相接的条状源漏极金属(12),以及采用与所述源漏极金属(12)同层的金属制成的至少一根公共电极线(13),所述公共电极线(13)纵向排列,两端分别与所述栅金属(11)相接。本发明实通过将作为存储电容的公共电极线采用与源漏极金属同层的金属,使得存储电容介电层只有钝化绝缘保护层,因此,在不减小存储电容的情况下可以大大降低公共电极线的线宽,提高面板开口率,进而降低背光LED功耗。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 公共 电极 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种阵列基板公共电极结构(1),其特征在于,包括:一对横向平行排列的条状栅金属(11),一对纵向排列且分别与所述栅金属(11)垂直相接的条状源漏极金属(12),以及采用与所述源漏极金属(12)同层的金属制成的至少一根公共电极线(13),所述公共电极线(13)纵向排列,两端分别与所述栅金属(11)相接。
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