[发明专利]一种阵列基板公共电极结构及其制造方法、阵列基板

说明书

技术领域

本发明涉及图像显示领域，尤其涉及一种阵列基板公共电极结构及其制造方法、液晶显示面板。

背景技术

近来，液晶显示器（Liquid Crystal Display，LCD）技术有了飞速的发展，从屏幕的尺寸到显示的质量都取得了极大的进步，LCD 具有体积小、功耗低、无辐射等特点，现已占据了平面显示领域的主导地位。

随着显示技术的发展，人们对视觉享受的要求越来越高，其中主要体现在分辨率、亮度、色彩、刷新速度、视角等。除此之外，功耗也是一个衡量液晶显示器质量的重要的指标。

液晶显示器的功耗主要包括两个部分，一部分是面板逻辑功耗，另一部分是背光LED功耗，其中背光LED功耗为液晶显示器的主要功耗，其中LED的功耗主要取决于面板的尺寸和面板开口率，面板尺寸越大背光LED功耗越大，而面板开口率越高则LED功耗越低。面板的开口率主要取决于材料，分辨率以及面板电路结构设计。材料和分辨率取决于面板的价格定位，面板电路结构设计则是比较灵活的。

如图1所示为现有TFT面板的电路结构示意图，包括：交错排列的栅极扫描线1'和数据线2'、电连接在栅极扫描线1'和数据线2'上的像素开关TFT 3'、存储电容Cst、液晶电容Clc以及公共电极COM，其中公共电极包括两部分，一部分是位于TFT侧的存储电容端COM电极，一部分是位于CF侧的液晶电容端COM电极（扭曲向列型TN和垂直排列型VA显示模式）。TFT侧的COM电极主要是起到存储电容的作用，传统的COM电极4'设计如图2所示，阵列基板布线结构如图3所示，作为存储电容的COM线43'主要是采用与栅极同层的金属，而这种结构的存储电容介电层包括栅绝缘层和钝化绝缘保护层，因此为了保证有足够的存储电容，COM线43'的线宽通常较大，制约了开口率的提高。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种阵列基板公共电极结构及其制造方法、阵列基板。

为了解决上述技术问题，本发明提供一种阵列基板公共电极结构，包括：一对横向平行排列的条状栅金属，一对纵向排列且分别与所述栅金属垂直相接的条状源漏极金属，以及采用与所述源漏极金属同层的金属制成的至少一根公共电极线，所述公共电极线纵向排列，两端分别与所述栅金属相接。

其中，多根所述公共电极线相互等间距排列。

其中，所述公共电极线平行于所述源漏极金属。

本发明还提供一种阵列基板，包括：公共电极结构，多条交错排列的栅扫描线和数据线，其中，所述公共电极结构包括：一对横向平行排列的条状栅金属，一对纵向排列且分别与所述栅金属垂直相接的条状源漏极金属，以及采用与所述源漏极金属同层的金属制成的至少一根公共电极线，所述公共电极线纵向排列，两端分别与所述栅金属相接。

其中，多根所述公共电极线相互等间距排列。

其中，所述公共电极线平行于所述源漏极金属。

本发明还提供一种阵列基板公共电极结构的制造方法，包括：

步骤S1，提供一对横向平行排列的栅金属；

步骤S2，提供一对纵向排列且分别与所述栅金属垂直相接的源漏极金属；以及

步骤S3，提供采用与所述源漏极金属同层的金属制成的至少一根公共电极线，所述公共电极线纵向排列，两端分别与所述栅金属相接。

其中，多根所述公共电极线相互等间距排列。

其中，所述公共电极线平行于所述源漏极金属。

本发明实施例通过将作为存储电容的公共电极线采用与源漏极金属同层的金属，使得存储电容介电层只有钝化绝缘保护层，因此，在不减小存储电容的情况下可以大大降低公共电极线的线宽，提高面板开口率，进而降低背光LED功耗。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是TFT-LCD阵列基板简化电路示意图。

图2是现有公共电极结构示意图。

图3是现有阵列基板布线结构示意图。

图4是本发明实施例阵列基板公共电极结构的示意图。

图5是包含本发明实施例公共电极结构的阵列基板布线结构示意图。

图6是本发明实施例阵列基板公共电极结构的制造方法的流程示意图。

具体实施方式