[发明专利]一种改善晶体质量的GaN基LED外延结构的制备方法有效
| 申请号： | 201310730036.0 | 申请日： | 2013-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN104752568B | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 向君;余小明;陈振 | 申请（专利权）人： | 晶能光电(江西)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330096 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供一种改善晶体质量的GaN基LED外延结构的制备方法，在外延生长GaN基LED外延片时在高温烘焙生长衬底时通入一段时间的TMGa源，然后继续高温烘焙生长衬底，在没有增加工艺复杂性的情况下对外延生长的衬底及环境进行了改善，使得整个LED外延层的晶体质量更高，亮度更高，电性良率更好，并且有效减少雾化现象，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 晶体 质量 gan led 外延 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改善晶体质量的GaN基LED外延结构的制备方法，包括：高温烘焙生长衬底；在所述生长衬底上外延生长InGaAlN多层结构，所述InGaAlN多层结构从下至上包括N型GaN层、有源层和P型GaN层；其特征在于，在高温烘焙生长衬底时通入一段时间的TMGa源，然后继续高温烘焙生长衬底；所述高温烘焙的温度为1170℃‑1200℃。
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