[发明专利]一种背接触晶体硅太阳能电池及其制造方法

摘要

一种背接触晶体硅太阳能电池包括硅基底，所述硅基底具有硅基底非受光面；所述硅基底非受光面上设置了交替排列分布的P型区和N型区；其中，在P型区和N型区交替区域相对的两侧，一侧设有P型区边缘条，另一侧设有N型区边缘条；P型边缘条垂直于P型区与N型区的延伸方向，N型边缘条垂直于P型区与N型区的延伸方向，P型区边缘条与P型区的端面连接，N型区边缘条与N型区的端面连接。在P型区和P型区边缘条上设有P型区汇流导电带，在N型区和所述N型区边缘条上设有N型区汇流导电带。此外，本发明中还包括一种用于制造太阳能电池的方法。

主权项

一种背接触晶体硅太阳能电池，包括硅基底(1)，所述硅基底(1)具有硅基底非受光面(101)；所述硅基底非受光面(101)上设置了条状的交替排列的P型区(201)和N型区(202)；其特征在于：在所述P型区(201)和所述N型区(202)交替区域相对的两侧，一侧设有P型区边缘条，另一侧设有N型区边缘条；所述P型边缘条垂直于所述P型区(201)与所述N型区(202)的延伸方向，所述N型边缘条垂直于所述P型区(201)与所述N型区(202)的延伸方向，所述P型区边缘条与所述P型区(201)的端面连接，所述N型区边缘条与所述N型区(202)的端面连接；在所述P型区(201)和所述P型区边缘条上设有P型区汇流导电带(301)，在所述N型区(202)和所述N型区边缘条上设有N型区汇流导电带(302)；在所述硅基底非受光面(101)的上方设有非受光面钝化层(4)，所述非受光面钝化层(4)覆盖在所述P型区(201)与所述N型区(202)的交替区域上；在所述P型区汇流导电带(301)上未覆盖所述非受光面钝化层(4)的部分与正电极(501)连接，在所述N型区汇流导电带(302)上未覆盖所述非受光面钝化层(4)的部分与负电极(502)连接。