[发明专利]TVS器件及工艺方法

摘要

本发明公开了一种TVS器件，包含P型衬底上的第一外延层及第二外延层，P型衬底具有背面金属，第一外延层中具有N型埋层，填充氧化物的深隔离沟槽隔离出齐纳二极管、上桥二极管及下桥二极管，第二外延层中具有重掺杂的P型区及重掺杂的N型区，第二外延层表面具有金属前介质层及覆盖在金属前介质层上的顶层金属，所述的齐纳二极管，其阳极是由多个从上至下依次贯穿第二外延层、第一外延层，底部位于P型衬底上的多晶硅深沟槽构成，将传统的平面型器件改为三维立体结构，节省了芯片面积。本发明还公开了所述TVS器件的制造方法。

主权项

一种TVS器件，P型衬底上具有第一外延层及第二外延层，第二外延层位于第一外延层之上，第一外延层中具有重掺杂的N型埋层，第二外延层中具有重掺杂N型区以及重掺杂P型区，第二外延层表面具有氧化硅层；三个填充氧化硅的深隔离沟槽贯穿第二外延层、第一外延层，底部位于衬底中，形成第一及第二两个隔离区，其特征在于：所述第一隔离区域中，多个填充掺杂多晶硅的深沟槽从上至下依次贯穿重掺杂N型区、第二外延层、N型埋层、第一外延层，底部位于衬底中，其顶部在氧化硅层之上由一块多晶硅连成整体，并再连接顶层金属；所述的第二外延层中的重掺杂P型区位于第一隔离区中，重掺杂P型区连接另一顶层金属；所述第二隔离区中的第二外延层中还具有重掺杂N型区，其上方与重掺杂P型区连接同一顶层金属；所述的顶层金属与氧化膜之间具有金属前介质层，P型衬底背面具有背面金属层。