[发明专利]晶体管的形成方法在审
| 申请号： | 201310713274.0 | 申请日： | 2013-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN104733317A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 何永根;涂火金 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶体管的形成方法，在形成晶体管的源漏区的过程中，在栅极结构之间形成凹槽，在所述凹槽中形成外延层。在形成外延层的过程中，其中，形成外延层的步骤至少包括一次以下步骤：通过外延生长方式在凹槽中形成部分外延层，在形成部分外延层后降低外延腔室内的气压。本发明能够减少外延生长后栅极结构表面的球状颗粒污染物，提高晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成栅极结构；在栅极结构之间的衬底中形成凹槽；在所述凹槽中形成外延层；其中，形成外延层的步骤至少包括一次以下步骤：通过外延生长方式在所述凹槽中形成部分外延层；在形成部分外延层后降低外延腔室内的气压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
