[发明专利]晶体管的形成方法

权利要求书

1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成栅极结构；

在栅极结构之间的衬底中形成凹槽；

在所述凹槽中形成外延层；

其中，形成外延层的步骤至少包括一次以下步骤：

通过外延生长方式在所述凹槽中形成部分外延层；

在形成部分外延层后降低外延腔室内的气压。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成外延层的步骤还包括：在降低外延强室内的气压之后，通入净化气体。

3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述晶体管为PMOS，所述衬底为硅衬底，所述外延层的材料为硅锗。

4.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，形成外延层的步骤包括：

先在凹槽中外延生长形成籽晶层；

在形成籽晶层后降低外延腔室内的气压，并向外延腔室内通入净化气体；

在籽晶层上形成体锗硅层；

在形成体锗硅层之后，降低外延腔室内的气压，并向外延腔室内通入净化气体；

在体锗硅层上方形成盖帽层；

在形成盖帽层之后降低外延腔室内的气压，并向外延腔室内通入净化气体。

5.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，在所述凹槽中形成外延层的过程中，采用的气体包括硅烷、氯化氢、二氯二氢硅、乙硼烷、锗烷和氢气。

6.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，硅烷、氯化氢、二氯二氢硅、乙硼烷、锗烷的流量在1标况毫升每分钟到1000标况毫升每分钟的范围内，氢气的流量在0.1标况升每分钟到50标况升每分钟的范围内。

7.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述凹槽中形成部分外延层的步骤包括：使外延腔室内的气压在1托到100托的范围内，温度在500摄氏度到800摄氏度的范围内。

8.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在形成部分外延层后降低外延腔室内的气压的步骤包括：将外延腔室内的气压从1托到100托的范围内降低到1托到20托的范围内。

9.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，向外延腔室内通入净化气体的步骤包括：向外延腔室内通入氢气。

10.如权利要求9所述的形成方法，其特征在于，氢气的流量在30标况升每分钟到50标况升每分钟的范围内。

11.如权利要求9所述的形成方法，其特征在于，通入氢气的时间在1分钟到2分钟的范围内。

12.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述晶体管为NMOS，在所述凹槽中形成的外延层包括碳化硅层。

13.如权利要求12所述的形成方法，其特征在于，形成外延层的步骤包括：

在凹槽中形成体碳化硅层；

在形成体碳化硅层之后，降低外延腔室内的气压，并向外延腔室内通入净化气体；

在体碳化硅层上方形成盖帽层；

在形成盖帽层之后降低外延腔室内的气压，并向外延腔室内通入净化气体。