[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201310711531.7 | 申请日： | 2013-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN104064592A | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 金村雅仁 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;董文国 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件，包括：衬底；形成在衬底上的第一半导体层；形成在第一半导体层上的第二半导体层；形成在第二半导体层上的第一绝缘层，该第一绝缘层由包含SiO2的材料形成；形成在第一绝缘层上的第二绝缘层，该第二绝缘层由包含选自Al2O3、ZrO2、Ta2O5、Ga2O3和HfO2中的一种或更多种的材料形成；以及形成在第二绝缘层上的栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；形成在所述衬底上的第一半导体层；形成在所述第一半导体层上的第二半导体层；形成在所述第二半导体层上的第一绝缘层，所述第一绝缘层由包含SiO2的材料形成；形成在所述第一绝缘层上的第二绝缘层，所述第二绝缘层由包含选自Al2O3、ZrO2、Ta2O5、Ga2O3和HfO2中的一种或更多种的材料形成；以及形成在所述第二绝缘层上的栅电极。
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